# Транзисторы из дисульфида молибдена обошли кремниевые по эффективности

Технологии · 9 октября 2026, 07:01 · Новости будущего
Адрес: https://xn----btbbgegr2bjbg3anrb0h.xn--p1ai/2026/10/09/tranzistory-iz-disulfida-molibdena-oboshli-kremnievye-po-effektivnosti/

Учёные Университета Карнеги — Меллон продемонстрировали возможность создания транзисторов тоньше 5 нм из нового материала

Для этого они использовали дисульфид молибдена (MoS₂) — двумерный полупроводник атомарной толщины. Созданные транзисторы с длиной канала менее 5 нм показали производительность выше теоретического предела кремниевых аналогов того же размера. Проблема кремниевых транзисторов в том, что при экстремальном уменьшении размеров затвор теряет способность полностью перекрывать ток — возникают утечки, ведущие к потере энергии.

Ключевое новшество команды — воздушный зазор под каналом транзистора. Он помогает затвору лучше контролировать ток и снижает утечки. Для разработки устройства учёные применили технологию совместного проектирования: одновременно оптимизировали материал, архитектуру прибора и процесс изготовления.

Транзисторы были изготовлены на четырёхдюймовой пластине (около 10 см), что доказывает возможность масштабирования технологии для промышленного производства. Работа опубликована в Nature Communications и выполнена в сотрудничестве с MIT, Университетом Флориды, Texas A&M, Университетом Южной Калифорнии и Мадридским политехническим университетом. Хотя технология пока не готова к коммерческому запуску, она открывает путь к более компактным и эффективным вычислительным устройствам.

Источник: [Carnegie Mellon University](https://engineering.cmu.edu/news-events/news/2026/10/08-beyond-silicon.html)
Теги: транзисторы, полупроводники, дисульфид молибдена, микроэлектроника, вычислительные технологии