В Университете Цинхуа создали ультрамалый графеновый мемристор

Учёные Университета Цинхуа разработали наноразмерный графеновый мемристор с площадью электродов всего 0,34×0,34 нм²

Ключевая технология — метод влажного переноса с регулированием распределения напряжений. В его основе — двухслойная полимерная система: опорный слой PMMA и буферный слой с фоторезистом AZ601. Это позволяет направлять место разрыва графена в процессе сушки на нужную область — так материал полностью переносится на гладкие вертикальные стенки высотой от 300 нм до 3 мкм и не образуются зазоры, типичные для традиционных методов.

Благодаря подходу удалось довести размеры мемристора до атомного масштаба — при сохранении всех функциональных свойств. Технология совместима со стандартными процессами обработки кремниевых пластин: её объединили с химико-механической полировкой и пластинным соединением.

Полученный прибор демонстрирует коэффициент переключения более 1 000 и обладает энергонезависимостью. Он показал большой потенциал для систем вероятностных вычислений (p-bit) с низким энергопотреблением. Сейчас устройство протестировано на чипе размером 1×1 см; учёные ещё не подтвердили его равномерность по всей пластине и возможность массового производства.

Источник: Университет Цинхуа