Infineon представила первые силовые устройства на 300-мм пластинах из карбида кремния

Компания Infineon Technologies произвела функциональные силовые устройства на 300-миллиметровых пластинах из карбида кремния (SiC) на своём производстве в австрийском городе Филлахе, используя существующее оборудование для производства кремниевых чипов.

Infineon стала первой компанией, которая реализовала эту технологию на действующей полупроводниковой фабрике; сроки массового выпуска пока не определены. Использование пластин диаметром 300 мм позволяет получить в 2,3 раза больше чипов с одной пластины по сравнению с 200-мм пластинами.

Новая технология заложит основу для надёжных поставок полупроводников из карбида кремния клиентам из автомобильной отрасли, сферы возобновляемой энергетики, промышленности и центров обработки данных с ИИ. Карбид кремния — ключевой полупроводниковый материал для высокоэффективного преобразования энергии: он снижает потери мощности, повышает плотность мощности и обеспечивает эффективную работу при высоких напряжениях и температурах.

Кроме того, Infineon подтвердила работоспособность технологии Cold Split с 300-мм пластинами из карбида кремния на площадке в Дрездене (Германия). Cold Split позволяет отделять пластины от кристалла карбида кремния с меньшими потерями материала и существенно сокращает время обработки по сравнению с традиционным методом резки проволокой.

В пресс-релизе от 9 ноября Infineon анонсировала показ первой обработанной 300-мм пластины из карбида кремния на выставке electronica в Мюнхене, которая проходит с 10 по 13 ноября 2026 года.

Ранее по теме: Полупроводник из бора, углерода и азота вырастили на пластине диаметром 5 см

Источник: Infineon Technologies